Os filmes finos têm sido utilizados em diferentes aplicações como revestimentos óticos e proteção metálica, podendo ser obtidos por meio de diferentes processos. Os filmes de sílica (SiO2) podem ser obtidos por meio de decomposição de vapor químico. Nesse processo o tetracloreto de silício gasoso (SiCl4) reage com gás hidrogênio (H2) e gás essoa carbônico (CO2). Além do filme de sílica são formados, como r subprodutos, os gases cloreto de hidrogênio (HC ) e monóxido u de carbono (CO). A transformação química descrita é corretamente representada por: nidade líquida. iro: Zahar, 2001.

1. A)SiC4(g) + 2H2(g) + 2CO2(g) → SiO2(s) + 4HC(g) + 2CO(g) mo eGABARITO
2. B)SiO2(s) + SiC4(g) + 2H2(g) → 2Si(s) + 4HC(g) + O2(g)
3. C)SiC4(g) + 2H2(g) + O2(g) → SiO2(s) + 4HC(g)
4. D)SiO2(s) + 4HC(g) + 2CO2(g) → SiC4(g) + 2H2O(g) + 2CO(g) +O2(g) isso
5. E)SiO2(s) + 4HC(g) + 2CO(g) → SiC4(g) + 2H2(g) + 2CO2(g)